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        Am29LV640MT/B
        數據表
        RETIRED
        產品
        此產品已經退休,不適用于設計。對于新的和現有的設計,
        S29GL064A取代Am29LV640MT / B ,是廠家推薦的遷移路徑。請
        參考S29GL064A數據表的規格和訂購信息??捎眯员举Y料的
        輸稿保留只供參考用途及歷史的目的。
        規格連續性
        有沒有改變此數據表作為提供設備作為Spansion公司產品的結果。任何
        已經作出的變化是正常的數據片的改進的結果,并且將記錄在
        文檔修訂摘要。
        欲了解更多信息
        請聯系您當地的銷售辦事處有關Spansion閃存解決方案的更多信息。
        公開號
        26190
        調整
        C
        修訂
        8
        發行日期
        2007年2月1日
        這頁有意留為空白。
        數據表
        Am29LV640MT/B
        64兆位(4M ×16位/ 8的M× 8位)的MirrorBit ?
        3.0伏只引導扇區閃存
        此產品已經退休,不適用于設計。對于新的和現有的設計, S29GL064A取代Am29LV640M T / B ,是工廠推薦的遷移路徑。
        請參閱S29GL064A數據表的規格和訂購信息??捎眯员疚臋n的保留僅供參考,歷史的目的。
        特色鮮明
        架構優勢
        單電源工作
        - 3 V讀取,擦除和編程操作
        在0.23微米的MirrorBit工藝制造
        技術
        安全硅行業區域
        - 128字/ 256字節扇區永久的,安全的
        通過一個8字/ 16字節的隨機identi網絡陽離子
        電子序列號,通過一個可訪問
        命令序列
        - 可以編程并鎖定在工廠或通過
        客戶
        靈活的部門架構
        - 一百27 32 K字/ 64字節
        扇區
        - 八4千字/ 8 KB的引導扇區
        與JEDEC標準兼容
        - 提供的引腳和軟件兼容
        單電源閃存,以及優越的疏忽
        寫保護
        每個扇區最低100,000次擦除周期保證
        20年的數據保存在125°C
        性能特點
        高性能
        - 90 ns訪問時間
        - 25 ns的頁讀取時間
        - 0.5秒典型扇區擦除時間
        - 22 μs的典型有效的寫緩沖器字編程
        時間: 16字/ 32字節的寫緩沖整體減少
        編程時間多字/字節更新
        - 4字/ 8字節讀取頁面緩沖器
        - 16字/ 32字節的寫緩沖區
        低功耗( 3.0 V典型值, 5
        兆赫)
        - 30毫安典型的讀操作工作電流
        - 80 mA典型的擦除/編程電流
        - 1 μA典型待機模式電流
        封裝選項
        - 48引腳TSOP
        - 63球精細間距BGA
        - 64 - ball加固BGA
        軟件&硬件功能
        軟件特點
        - 程序暫停&簡歷:讀取其他行業
        編程操作完成之前
        - 擦除掛起&簡歷:讀/程序等
        擦除操作之前,扇區結束
        - 數據#輪詢&觸發位提供狀態
        - 解鎖繞道程序命令的整體降低
        多字編程時間
        - CFI (通用閃存接口)兼容:允許主機
        系統識別并容納多個閃光燈
        器件
        硬件特性
        - 部門組保護:硬件級別的方法
        防止內業組寫操作
        - 臨時機構撤消: V
        ID
        的-level方法
        在鎖定行業不斷變化的代碼
        - WP # / ACC輸入:
        寫保護輸入端( WP # )保護頂部或底部的兩個
        不管扇區保護設置部門
        ACC (高電壓)加速編程時間
        系統在生產過程中更高的吞吐量
        - 硬件復位輸入( RESET # )復位裝置
        - 就緒/忙#輸出( RY / BY # )表示程序或
        擦除周期結束
        出版#
        26190
        啟:
        C
        Amendment/8
        發行日期:
        2007年2月1日
        D A T A
        中文ê (E T)
        概述
        該Am29LV640M是64兆, 3.0伏單電源
        供應閃存設備組織為4,194,304
        也就是說? ? 8388 , 6 08個字節。該裝置具有一個
        8位/ 16位總線并且可以編程,或者在
        主機系統或標準EPROM編程器。
        90 ,100, 110 ,或120納秒的存取時間是可用的。
        請注意,每個存取時間具有特定的操作
        電壓范圍(Ⅴ
        CC
        )和一個I / O電壓范圍(Ⅴ
        IO
        ),如
        在指定的
        產品選擇指南第6頁
        或 -
        第10頁dering信息。
        該器件采用
        采用48引腳TSOP , 63球精細間距BGA或64球Forti-
        田間BGA封裝。每臺設備都有單獨的芯片恩
        能( CE # ) ,寫使能( WE# )和輸出使能
        ( OE # )控制。
        只有每個設備都需要
        單3.0伏電源
        供應
        用于讀取和寫入功能。此外
        A V
        CC
        輸入,高電壓
        加速計劃
        ( ACC )
        功能提供了更短的編程時間
        通過增加電流的WP # / ACC輸入。這
        功能是為了便于工廠產能很好地協同
        荷蘭國際集團系統的生產,但也可以在使用
        字段如果需要的話。
        該設備完全指令集兼容
        JEDEC單電源閃存標準。
        命令寫入設備使用標準的
        微處理器寫時序。寫周期也互
        應受鎖存器需要的親地址和數據
        編程和擦除操作。
        扇區擦除架構
        允許內存節
        器進行擦除和重新編程,而不影響
        其他部門的數據內容。該裝置是完全
        從工廠發貨時被擦除。
        器件編程和擦除通過啟動
        命令序列。一旦一個程序或擦除操作
        ATION已經開始時,主機系統只需要輪詢
        DQ7 (數據#查詢)或DQ6 (切換)
        狀態位
        or
        監控
        就緒/忙# ( RY / BY # )
        輸出來確定
        礦操作是否已完成。為了方便
        節目中,
        解鎖繞道
        模式減少的COM
        通過要求只有兩個寫命令序列的開銷
        循環編程數據,而不是四個。
        硬件數據保護
        措施包括一個低
        V
        CC
        探測器可以自動抑制寫操作
        在電源轉換系統蒸發散。硬件部門
        保護功能將禁用這兩個編程和擦除
        操作中的存儲器扇區的任意組合。
        這是在系統內或通過編程來實現分析裝備
        換貨。
        擦除暫停/刪除恢復
        功能允許
        主機系統暫停在一個給定的擦除操作
        扇區讀取或寫其他部門,然后
        完成擦除操作。該
        程序可持
        掛起/恢復計劃
        功能可使主機系
        統暫停在一個給定的扇區分配給一個程序的操作
        閱讀任何其他部門,然后完成程序
        操作。
        硬件RESET #引腳
        終止任何操作
        在進度和復位器件,在這之后是再
        準備好一個新的操作。在RESET #引腳可
        綁在系統復位電路。系統復位會
        因而也使器件復位,從而使主機系統
        讀取來自閃存設備引導固件。
        該裝置降低了功耗,在
        待機模式
        它檢測到特定的電壓電平,當
        在CE #和RESET # ,或者當地址已經
        穩定為指定的時間周期。
        寫保護( WP # )
        功能保護的頂部或
        底部的兩個部門通過產生一個邏輯低電平上
        WP # / ACC引腳。受保護的行業仍然受到保護
        即使在加速編程。
        安全硅行業
        提供
        128個字/ 256字節的區域代碼或數據,可以是
        永久保護。一旦這個行業是受保護的,
        該部門沒有進一步的變化可能發生。
        AMD的MirrorBit閃存技術結合多年的
        快閃記憶體制造經驗,生產
        的質量,可靠性和成本effec-最高水平
        那些收不到。該裝置電擦除內所有的位
        通過熱孔輔助擦除扇區同時進行。該
        數據是使用熱電子注入編程。
        2
        Am29LV640MT/B
        26190C8 2007年2月1日
        D A T A
        中文ê (E T)
        的MirrorBit 64 MBIT器件系列
        設備
        LV065MU
        LV640MT/B
        LV640MH/L
        LV641MH/L
        LV640MU
        公共汽車
        x8
        x8/x16
        x8/x16
        x16
        x16
        部門架構
        制服( 64字節)
        引導( 8 ×8字節
        在頂部&底部)
        制服( 64字節)
        制服( 32 K字)
        制服( 32 K字)
        套餐
        48引腳TSOP ( STD 。 &轉。引出線)
        63球FBGA
        48針TSOP , 63球精細間距BGA ,
        64 - ball加固BGA
        56引腳TSOP ( STD , &轉。引出線)
        64 - ball加固BGA
        48引腳TSOP ( STD 。 &轉。引出線)
        64 - ball加固BGA ,
        63球精細間距BGA
        V
        IO
        是的
        No
        是的
        是的
        是的
        RY / BY #
        是的
        是的
        是的
        No
        是的
        WP # , ACC
        只有ACC
        WP # / ACC引腳
        WP # / ACC引腳
        獨立的WP #
        和ACC引腳
        只有ACC
        WP #保護
        沒有WP #
        2 ×8字節
        頂部或底部
        1 ×64字節
        高或低
        1 ×32 K字
        頂部或底部
        沒有WP #
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        FL灰內存
        的精良
        UCT信息
        的MirrorBit
        閃存信息
        nical文檔。
        的MirrorBit ?閃存的寫入緩沖區編程
        和頁面緩沖器讀
        實現對AMD的MirrorBit共同布局
        和英特爾StrataFlash閃存設備
        從單字節遷移到三字節設備ID
        AMD的MirrorBit ?白皮書
        2007年2月1日26190C8
        Am29LV640MT/B
        3
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        操作
          QQ: QQ:2881484034 QQ:2880720332
          電話:0755-82523057/82575149【堅持原裝正品】
          聯系人:張先生/謝先生
          地址:廣東省深圳市福田區華強北路1002號賽格廣場46樓4666,廣東深圳市龍崗區坂田中寶通創意基地B2棟

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